GOFORD 150V P沟道MOSFET：适用于高功率应用的超低导通电阻 RDS(on)

在当今的高性能电子领域，功率密度和热效率至关重要。GOFORD半导体隆重推出GT880P15系列产品（包括GT880P15D5、GT880P15K和GT880P15T型号），这是一系列专为超低导通电阻 (RDS(on))、高电流运行和提供坚固封装选项而设计的150V P沟道MOSFET，在空间受限的应用中提供卓越性能。

产品亮点:

150V电压等级： 为需要高压运行的工业和汽车电源系统提供稳健性能；

 超低导通电阻RDS(on)： 在 VGS=10V 条件下，导通电阻可低至82mΩ，显著降低导通损耗，提升效率；

 高电流承载能力： 支持 -30A 连续电流 (壳温 TC=25°C) 和 -120A 脉冲电流，是重载应用的理想选择；

多样化封装选项： 提供多种封装方案，满足不同应用场景需求；

 雪崩耐受能力： 单脉冲雪崩能量 (EAS) 高达156毫焦耳 (mJ)，确保在易受浪涌冲击的环境中的可靠性。

产品参数:

Applications:

                              电机驱动器                                                                                电动工具                                                                                工业电源系统