200V TOLT MOSFET：超低导通电阻 Rds(on) 8mΩ，超级紧凑

在当今的高性能电子领域，功率密度和热效率至关重要。GOFORD半导体隆重推出 GT100N20TT，这是一款专为超低导通电阻 (Rds(on))、顶部散热和超紧凑TOLT封装而设计的200V N沟道MOSFET，在空间受限的应用中提供卓越性能。

产品亮点:

 200V电压等级： 为工业和汽车电源系统提供稳健性能；

 超低导通电阻 (Rds(on))： 在 VGS=10V 条件下，导通电阻可低至 10毫欧 (mΩ) (注：标题提及8mΩ，正文为10mΩ，此处按正文描述)，显著降低导通损耗，提升效率；

 顶部散热设计： 通过 TOLT-8L 封装实现优化的热管理，支持直接从顶面散热，从而提升可靠性；

 超紧凑设计： 节省空间的TOLT封装尺寸，非常适合高密度PCB布局；

 高电流承载能力： 连续漏极电流高达 130A，满足重载应用需求。

产品参数：

典型应用:

                           电机驱动器                                                                                 电动工具                                                                         工业电源系统                                                                   DC-DC转换器