80V N沟道 TOLL-8L MOSFET：高功率，超低导通电阻 Rds(on) 0.85mΩ

在高效率电源系统时代，同时实现高性能和紧凑设计是必然要求。GOFORD半导体推出 GT011N08TL，这是一款专为超低导通电阻 (RDS(on))、高电流处理能力和节省空间的TOLL-8L封装而设计的80V N沟道MOSFET，重新定义了高功率密度设计中的效率标准。

产品亮点：

 80V电压等级： 为工业和汽车电源系统提供稳健性能；

 超低导通电阻 Rds(on)： 在 VGS=10V 条件下，导通电阻可低至 1.1mΩ (注：标题提及0.85mΩ，正文为1.1mΩ@10V，此处按正文描述)，大幅降低导通损耗，最大化能效；

 优化的TOLL-8L封装： 紧凑的封装尺寸结合卓越的热性能，实现高效散热；

 雪崩耐受能力： 单脉冲雪崩能量高达 1800mJ，确保在易受浪涌冲击环境中的可靠性；

 高电流承载能力： 支持 350A 连续电流和 1400A 脉冲电流，是重载应用的理想选择。

产品参数:

典型应用:

                                电动汽车系统                                                                      可再生能源                                                                           工业电机控制                                                                     UPS