适用于先进动力系统的超低电阻MOSFET
2025-07-14
在日新月异的电力电子领域，GOFORD 半导体凭借其先进的 N 沟道 MOSFET 解决方案持续树立标杆。最新系列产品专为高效率和可靠性而设计，采用尖端沟槽技术，在工业和汽车应用中提供超低导通电阻、快速开关以及稳健性能。
产品亮点:
超低损耗设计： 行业领先的 0.73 毫欧导通电阻 (Rdson, GT013N04D5C)，显著降低电机驱动器和 DC/DC 转换器中的能量损耗；
适用于高频应用的快速开关： 优化的栅极电荷 (Qg=88nC, GT013N04D5C) 和 13 ns开关时间，确保在服务器电源和电动汽车 (EV) 充电器中实现高频性能；
增强的热性能： 0.416°C/W 的低热阻，保障在紧凑型可再生能源逆变器和 LED 驱动器中的稳定运行；
多样化封装与可扩展性： 提供紧凑型 DFN 和 TOLL 封装选项，该系列既支持空间受限的布局设计，又能确保高电流密度。
产品参数:
| Part Number | Package | ESD | Vds(V) | Id(A) | Rds(on)mΩ(typ) @Vgs=10V | Rds(on)mΩ(max) @Vgs=10V | Qg(nC) | Ciss(pF) |
| GT011N08TL | TOLL-8L | NO | 80 | 350 | 0.85 | 163 | 13300 | |
| GT011N08TLA | TOLL-8L | NO | 80 | 383 | 0.85 | 163 | 13300 | |
| GT015N06TL | TOLL-8L | NO | 60 | 350 | 0.77 | 1.04 | 152 | 10694 |
| GT015N06TLA | TOLL-8L | NO | 60 | 350 | 0.77 | 1.04 | 152 | 10694 |
| GT013N04D5CH | DFN5*6-8L | NO | 40 | 270 | 0.82 | 84 | 5300 | |
| GT013N04D5C | DFN5*6-8L | NO | 40 | 270 | 0.73 | 1 | 88 | 6100 |
| GT014N04TL | TOLL-8L | NO | 40 | 275 | 0.98 | 1.35 | 94 | 6100 |
| GT009N04D5 | DFN5*6-8L | NO | 40 | 280 | 0.75 | 120 | 7318 | |
| GT009N04TL | TOLL-8L | NO | 40 | 340 | 0.81 | 120 | 7318 | |
| GT009N04TLA | TOLL-8L | NO | 40 | 340 | 0.81 | 120 | 7318 | |
| GT007N04D5 | DFN5*6-8L | NO | 40 | 350 | 0.72 | 1.4 | 125 | 7500 |
| GT011N03D5E | DFN5*6-8L | YES | 30 | 209 | 0.86 | 1.43 | 98 | 5950 |
| GT011N03TLE | TOLL-8L | YES | 30 | 250 | 1 | 1.47 | 98 | 6278 |
Applications:
工业自动化 电动汽车 (EV) 可再生资源
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