SGT 超低导通电阻 Rds(on) 1.8mΩ，快速开关，采用 DFN5*6-8L 封装
2025-03-15
GT025N06AD5 采用先进的 SGT（屏蔽栅沟槽 MOSFET）技术制造，具有极低的比导通电阻 (Rsp)。它特别降低了米勒电容 (Ciss)，并大幅减少了开关损耗。该技术同时提升了雪崩能力，并优化了导通电阻 (Rdson) 和栅极电荷 (Qg)。
产品亮点:
先进 SGT 技术： 实现极低导通电阻Rds(on)、卓越的开关特性、更优的品质因数 (FOM)、更高的功率耗散能力以及更低的导通损耗；
优化开关性能： 相较于传统沟槽技术，SGT 技术优化了输入电容/栅极电荷 (Ciss/Qg) 参数，为 MOSFET 驱动器的设计和制造提供了更大的裕量空间；
增强可靠性： 通过优化单脉冲雪崩能量 (EAS) 特性，确保器件能够应对应用中的异常工作状态。
产品参数:
| Part Number | Package | ESD | Vds(V) | Id(A) | Rds(on)mΩ(typ) @Vgs=10V | Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V | Qg(nC) | Ciss(pF) |
| GT025N06AD5 | DFN5*6-8L | NO | 60 | 170 | 1.8 | 2.2 | 81 | 5044 |
典型应用:
电池管理系统（BMS） 电动工具 LED驱动电源 5G 通信电源
最新新闻